SK Hynix ha completato, in questa settimana, lo sviluppo delle memorie DDR4 di ultimissima generazion a 10nm. Presentano una serie di migliorie destinate a ridurre le dimensioni del die, ridurre i consumi e contestualmente aumentare la frequenza operativa.
Prestazioni senza compromessi
Al massimo delle prestazioni, le nuove memorie DDR4-3200 consumano il 15% in meno rispetto a quelle di prima generazione; anche le dimensioni del die sono state ridotte del 20%, cosa che porterebbe ad una riduzione del costo finale. Inizialmente, SK Hynix userà questo processo produttivo per realizzare memorie destinate a server e PC, ed eventualmente per la realizzazione di memorie LPDDR per dispositivi mobili.
Oltre a questo, le nuove memorie portano due importanti novità: uno schema 4-Phase Clocking e la tecnologia Sense Amplifier Control.
Il 4-Phase Clocking aumenta la potenza del segnale per mantenere stabilità ad alte velocità. Nel frattempo, il SAC limita il verificarsi di errori che possono presentarsi quando si riduce la dimensione del die.
Considerando tutte queste migliorie, le nuove memorie da SK Hynix aprono le porte ad overclocking più spinto, anche se ancora devono essere effettuati ulteriori test.
SK Hynix non ha ancora avviato la produzione, ma considerando che le memorie di prima generazione sono classificate come “sampling” sul sito ufficiale, non vedremo queste nuove DRAM prima del 2019.
